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半導(dǎo)體集成電路廠家|半導(dǎo)體集成電路術(shù)語科普發(fā)布日期：(2022/3/2) 點(diǎn)擊次數(shù)：577 |
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1、通用術(shù)語 微電子學(xué)，Microelectronics，高度小型化電子線路的構(gòu)成和應(yīng)用的學(xué)科。 集成電路，Intergrate Circuit，將若干電路元件不可分割地聯(lián)在一起，并且在電氣上互連，以致就規(guī)范、試驗(yàn)、貿(mào)易和維修而言，被視為不可分割的一種電路；（注：本定義的電路元件沒有包封或外部連接，并且不能作為獨(dú)立產(chǎn)品規(guī)定或銷售�？梢苑譃榘雽�(dǎo)體單片集成電路、半導(dǎo)體多片集成電路、薄膜集成電路、厚膜集成電路、混合集成電路。 半導(dǎo)體器件，semiconductor device，基本特性是由于載流子在半導(dǎo)體內(nèi)流動的器件。 電路元件，circuit element，在集成電路中完成某種電學(xué)功能的無源或有源元件。 有源元件，active element，一種主要對電路提供整流、開關(guān)和放大功能的（電路）元件。 無源元件，passive element，對電路功能起電阻、電容或電感，或是它們組合作用的元件。 電極，electrode，半導(dǎo)體器件的規(guī)定區(qū)域與邊引出端的內(nèi)引線之間的提供電學(xué)聯(lián)接的部分； 封裝外形圖，package outline drawing，規(guī)定尺寸特征和機(jī)械互換性要求等有關(guān)特征的封裝圖形。
2.器件類型 單片集成電路，monolithic Intergrated circuit,全部元件制作在一塊半導(dǎo)體芯片上的集成電路 多片集成電路，Multichip integrated circuit，一個(gè)封裝體內(nèi)僅裝有兩個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片的集成電路 膜集成電路，film integrated circuit，元件和互連均以膜形式在絕緣基片表面上形成的集成電路。 混合集成電路，Hybrid integrated circuit，由半導(dǎo)體集成電路與膜集成電路的任意組合，或由任何這些電路同分立元件的任意組合形成的集成電路。 雙極型集成電路，bipolar integrated circuit，以雙極型晶體管為基本有源元件構(gòu)成的集成電路。 3.材料及工藝 晶片（圓片），wafer，一種半導(dǎo)體材料或?qū)⑦@種半導(dǎo)體材料沉積到襯底上面形成的薄片或扁平圓片，在它上面可同時(shí)制作出一個(gè)或若干個(gè)器件，然后將它分割成芯片； 芯片，chip（die），從含有器件或電路陣列的晶片上分割的至少包含有一個(gè)電路的部分 襯底，substrate，在其表面和內(nèi)部制造器件或電路元件的材料 基片，substrate，對膜電路元器件和（或）外貼元器件形成支撐基體的片狀材料 膜，film，用任何淀積工藝在固體基片上形成的固體層 平面工藝，planar technique，采用掩膜擴(kuò)散、金屬化、光刻等技術(shù)，在襯底上制造元器件和電路的過程 。 外延工藝，epitaxy technique，在襯底上生長一層與襯底有相同或相近晶相的半導(dǎo)體材料的過程 光刻工藝，photolithography technique，利用曝光、顯影、刻蝕等技術(shù)，在表面涂覆有光致抗蝕劑膜的晶片上，制作出所需圖形的過程 真空蒸發(fā)，vacuum evaporation，在真空中將材料加熱，并使其蒸發(fā)淀積在其他材料表面上形成膜的過程 擴(kuò)散工藝，diffusion technique，將雜質(zhì)原子擴(kuò)散到半導(dǎo)體晶體中，在該晶體中形成P型或N型電導(dǎo)率區(qū)域的過程。 離子注入，ion implantation，將被加速的離子注入到半導(dǎo)體晶體中，在該晶體中形成P型、N型或本征導(dǎo)電區(qū) 濺射，sputtering，利用輝光放電中氣體離子的轟擊使電極材料釋出，并淀積在其他材料表面上形成膜的過程 金屬化，metallization，淀積一層金屬膜，并制作布線圖形，從而形成所需內(nèi)連線等的過程 表面鈍化，surface passivation，在P區(qū)、N區(qū)和PN結(jié)形成以后，在半導(dǎo)體表面生長或涂覆一層保護(hù)膜的過程 保護(hù)涂層，protective coating，涂在電路元件表面作為機(jī)械保護(hù)和防止污染的絕緣材料層。 引線鍵合，wire bonding，為了使細(xì)金屬絲與芯片上規(guī)定的金屬化區(qū)或底座上規(guī)定的區(qū)域形成歐姆接觸，而對它們施加應(yīng)力的過程 封裝，encapsulation，為抵抗機(jī)械、物理和化學(xué)應(yīng)力，用某種保護(hù)介質(zhì)包封電路和元器件的通用工藝。 灌封，embedding，采用能夠固化的樹脂對電路、組件的主體進(jìn)行埋置的過程 外殼（封裝），package(case)，集成電路的全包封或部分包封體，外殼可以包含或提供引出端，它對集成電路的熱性能產(chǎn)生影響。 底座，header，封裝體中用來安裝半導(dǎo)體芯片的部分 機(jī)械標(biāo)志，mechanical index，自動操作時(shí)提供方位的特征。 |
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